[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-23] XPSによるSiC/Si接合界面の熱処理効果の評価

〇万 澤欣¹、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪市大工)

キーワード：表面活性化接合法、パワーデバイス、SiC/Siヘテロ接合