[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-5] 界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価

〇松田 陵¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、三島 友義³、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大)

キーワード：GaN、界面顕微光応答法、電気化学エッチング

本発表ではGaN表面を部分的に電気化学エッチングしたショットキー接触を界面顕微光応答法で2次元評価した結果を報告する。エッチング領域の周辺部では大きな光電流が観測され、ショットキー障壁高さの低下が確認できた。本実験ではUV光の照射のみでエッチング領域を規定していることから、周辺部では高次の面が形成されていた可能性がある。