The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11p-PB3-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Mon. Mar 11, 2019 1:30 PM - 3:30 PM PB3 (PB)

1:30 PM - 3:30 PM

[11p-PB3-6] Control of plasma-induced damage of n-type GaN treated by slope-down-bias ICP-RIE

Shinji Yamada1,2,3, Hideki Sakurai1,2,3, Masato Omori1, Toshiyuki Nakamura3, Ryuichiro Kamimura3, Jun Suda1,2, Tetsu Kachi1 (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Nagoya Univ., 3.ULVAC ISET)

Keywords:GaN, ICP-RIE

窒化ガリウム (GaN) 系パワー半導体デバイスを実現する上で、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング (ICP-RIE) を用いた低ダメージドライエッチング技術を確立することは不可欠である。今回、エッチングバイアスパワーを連続的に低減させるスロープダウンバイアスエッチング技術を検討し、低ダメージ化への効果をn型GaNを用いて評価した。