[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-9] Al_0.05Ga_0.95Nバックバリアを有する高抵抗Si基板上GaNチャネルHEMT

〇星 拓也¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹、松崎 秀昭¹ (1.日本電信電話株式会社 NTT先端集積デバイス研究所)

キーワード：GaNチャネルHEMT、AlGaNバックバリア、高抵抗Si基板