The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 6:45 PM S011 (South Lecture Bldg.)

Kohei Sasaki(ノベルクリスタルテクノロジー), Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.), Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.)

4:15 PM - 4:30 PM

△ [11p-S011-10] Epitaxial growth of α-(InxAl1-x)2O3 alloy films by mist chemical vapor deposition

〇(D)Daisuke Tahara1, Hiroyuki Nishinaka1, Yuta Arata1, Masahiro Yoshimoto1 (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:Gallium oxide, Wide band gap semiconductor, mist CVD

本研究では、格子整合系の準安定相Ga2O3ヘテロ接合デバイスへの応用に向けて、コランダム構造α-(InxAl1-x)2O3に注目している。α-(InxAl1-x)2O3はベガード則によると、組成比がx = 0.3の場合にα-Ga2O3とほぼ格子整合し、また、Egはα-の5.3 eVよりも大きいと予測される。この特性から、格子整合系のヘテロ接合デバイスへの応用が期待できる。