[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [11p-S011-10] ミストCVD法によるα-(In_xAl_1-x)₂O₃の混晶薄膜の結晶成長

〇(D)田原 大祐¹、西中 浩之¹、新田 悠汰¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ワイドバンドギャップ半導体、ミストCVD

本研究では、格子整合系の準安定相Ga₂O₃ヘテロ接合デバイスへの応用に向けて、コランダム構造α-(In_xAl_1-x)₂O₃に注目している。α-(In_xAl_1-x)₂O₃はベガード則によると、組成比がx = 0.3の場合にα-Ga₂O₃とほぼ格子整合し、また、E_gはα-の5.3 eVよりも大きいと予測される。この特性から、格子整合系のヘテロ接合デバイスへの応用が期待できる。