The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 6:45 PM S011 (South Lecture Bldg.)

Kohei Sasaki(ノベルクリスタルテクノロジー), Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.), Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.)

5:30 PM - 5:45 PM

[11p-S011-14] Influence of atomic-scale patterned polymer substrate on thin film growth and property of oxide semiconductor

〇(M1)Tomoaki Oga1, Ken Iwasa1, Shiori Yamada1, Satoru Kaneko2,1, Akifumi Matsuda1, Mamoru Yoshimoto1 (1.Tokyo Tech. Materials, 2.KISTEC)

Keywords:Polymer, atomic-scale pattern, Oxide semiconductor thin film

ポリマー材料は酸化物薄膜などと組み合わせたフレキシブルデバイスへの応用が注目されている。ガラス転移温度以下かつポリマー上での酸化物薄膜の特性向上には、核形成および成長方位の制御が重要となる。我々は、熱ナノインプリント法によるポリマー基板表面への原子ステップ形状の転写などについて報告してきた。本研究では、ポリマー表面の原子レベルパターンが酸化物薄膜の成長と特性に及ぼす影響について検討した。