The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 6:45 PM S011 (South Lecture Bldg.)

Kohei Sasaki(ノベルクリスタルテクノロジー), Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.), Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.)

5:15 PM - 5:30 PM

[11p-S011-13] Thinning process of hydrothermal ZnO wafers and its application to microcavities

Kohei Shima1, Kazunobu Kojima1, Shigefusa Chichibu1 (1.IMRAM Tohoku Univ.)

Keywords:ZnO, chemical mechanical polishing, microcavity

ZnO微小共振器中の励起子ポラリトンを利用するポラリトンレーザは、発振に必要な閾値電流密度が非常に小さいため省エネルギーコヒーレント光源として有望である。ZnO微小共振器中の励起子と光子の相互作用を強めるためには、ZnO活性層中の貫通転位(TD)や点欠陥性の非輻射再結合中心(NRC)を減らす必要がある。本研究では、TD密度が低い単結晶バルクZnO基板を薄膜化し、その両面に分布ブラッグ反射鏡を配置するポラリトンレーザ構造の形成を目指して、ZnO基板の研磨により導入される欠陥が非輻射再結合寿命に及ぼす影響を時間分解フォトルミネッセンス法により評価した。