[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11p-S011-2] Phase Control in the Metastable Gallium Oxide Growth on c-plane Sapphire Substrates by Tri-halide Vapor Phase Epitaxy

〇Nao Takekawa¹, Mayuko Sato¹, Hisashi Murakami¹, Yoshinao Kumagai¹ (1.Tokyo Univ. of Agriculture and Technology)

Keywords:Gallium Oxide, Halide Vapor Phase Epitaxy, Meta stable Phase

Ga前駆体に三塩化ガリウム，O前駆体に酸素を用いたトリハライド気相成長(THVPE)法によりc面サファイア基板上に準安定相酸化ガリウム薄膜を成長した。500℃付近の低温領域では準安定相のみが発現し、このとき、Oリッチ条件ではε相が発現しやすく，Gaリッチ条件ではα相が発現しやすいことが示唆され，THVPE法においては原料分圧によって酸化ガリウム準安定相の相制御が可能であることが示された。