The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 6:45 PM S011 (South Lecture Bldg.)

Kohei Sasaki(ノベルクリスタルテクノロジー), Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.), Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.)

1:45 PM - 2:00 PM

[11p-S011-1] Comparison between GaCl-O2-N2 and GaCl3-O2-N2 systems in ε-Ga2O3 Vapor Phase Epitaxy

Mayuko Sato1, Nao Takekawa1, Hisashi Murakami1, Yoshinao Kumagai1 (1.Tokyo University of Agriculture and Technology)

Keywords:Gallium Oxide, metastable phase, HVPE

我々は、水素フリーのハライド気相成長法(HVPE法)を用いたβ-Ga2O3の高純度かつ高速成長および、不均化反応を用いて生成したGaCl3を原料としたε-Ga2O3成長を行ってきた。今回GaClとCl2の反応で制御して生成したGaCl3を用いたトリハライド気相成長法(THVPE法)によるε-Ga2O3成長を試み、HVPE法との比較を行った。その結果、THVPEでは粉体を抑制し透明なε-Ga2O3膜を得られることが分かった。