[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[11p-S011-2] THVPE法を用いたc面サファイア基板上酸化ガリウム成長における準安定相の相制御

〇竹川 直¹、佐藤 万由子¹、村上 尚¹、熊谷 義直¹ (1.東京農工大院工)

キーワード：酸化ガリウム、ハライド気相成長法、準安定相

Ga前駆体に三塩化ガリウム，O前駆体に酸素を用いたトリハライド気相成長(THVPE)法によりc面サファイア基板上に準安定相酸化ガリウム薄膜を成長した。500℃付近の低温領域では準安定相のみが発現し、このとき、Oリッチ条件ではε相が発現しやすく，Gaリッチ条件ではα相が発現しやすいことが示唆され，THVPE法においては原料分圧によって酸化ガリウム準安定相の相制御が可能であることが示された。