The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 6:45 PM S011 (South Lecture Bldg.)

Kohei Sasaki(ノベルクリスタルテクノロジー), Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.), Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.)

2:30 PM - 2:45 PM

△ [11p-S011-4] Suppression of interface conduction in β-Ga2O3 using semi-insulating intermediate layer

〇Takumi Saito1, Ryo Wakabayashi1, Jungsoo Lee1, Kaisei Kamei1, Kohei Yoshimatsu1, Motohisa Kado2, Akira Ohtomo1,3 (1.Tokyo Tech., 2.Toyota Motor Corp., 3.MCES)

Keywords:gallium oxide, PLD

酸化ガリウム (β-Ga2O3) はパワーデバイス用材料として注目されており，薄膜の電気特性評価はデバイス性能の向上に不可欠である．しかし，基板表面に存在する多量のSi不純物により支配的な界面伝導が生じ，薄膜本来の電気特性を測ることが困難となっている．我々は，界面伝導の抑制に向けて半絶縁性β-Ga2O3:Fe中間層の挿入を検討し，中間層が界面伝導の抑制に有効であることを明らかにしたので報告する．