[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [11p-S011-4] 半絶縁性中間層によるβ-Ga₂O₃ホモエピタキシャル層の界面伝導の抑制

〇斉藤 拓海¹、若林 諒¹、李 政洙¹、亀井 海聖¹、吉松 公平¹、加渡 幹尚²、大友 明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.トヨタ自動車、3.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム、PLD

酸化ガリウム (β-Ga₂O₃) はパワーデバイス用材料として注目されており，薄膜の電気特性評価はデバイス性能の向上に不可欠である．しかし，基板表面に存在する多量のSi不純物により支配的な界面伝導が生じ，薄膜本来の電気特性を測ることが困難となっている．我々は，界面伝導の抑制に向けて半絶縁性β-Ga₂O₃:Fe中間層の挿入を検討し，中間層が界面伝導の抑制に有効であることを明らかにしたので報告する．