The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 6:45 PM S011 (South Lecture Bldg.)

Kohei Sasaki(ノベルクリスタルテクノロジー), Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.), Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.)

3:00 PM - 3:15 PM

[11p-S011-6] PLD growth of N-doped Ga2O3 films and their electrical properties

Jungsoo Lee1, Ryo Wakabayashi1, Takumi Saito1, Kohei Yoshimatsu1, Motohisa Kado2, Akira Ohtomo1,3 (1.Tokyo Tech., 2.Toyota Motor Corp., 3.MCES)

Keywords:Gallium Oxide

酸化ガリウム(β-Ga2O3)はp型伝導が実現できるとpn接合が形成でき,高耐圧パワーデバイスの実現が期待できる.窒素はアクセプター元素としての作用が期待されるが,p型伝導を発現するためには高濃度の窒素ドーピングが必要である.今回我々は一酸化窒素を窒素源として用いたPLD法により高濃度の窒素ドープβ-Ga2O3薄膜を作製した.また、薄膜の結晶構造や電気特性の評価から窒素ドープの効果を考察した.