[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [11p-S011-6] PLD growth of N-doped Ga₂O₃ films and their electrical properties

〇Jungsoo Lee¹, Ryo Wakabayashi¹, Takumi Saito¹, Kohei Yoshimatsu¹, Motohisa Kado², Akira Ohtomo^1,3 (1.Tokyo Tech., 2.Toyota Motor Corp., 3.MCES)

Keywords:Gallium Oxide

酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)はp型伝導が実現できるとpn接合が形成でき，高耐圧パワーデバイスの実現が期待できる．窒素はアクセプター元素としての作用が期待されるが，p型伝導を発現するためには高濃度の窒素ドーピングが必要である．今回我々は一酸化窒素を窒素源として用いたPLD法により高濃度の窒素ドープβ-Ga₂O₃薄膜を作製した．また、薄膜の結晶構造や電気特性の評価から窒素ドープの効果を考察した．