[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [11p-S011-6] PLD法による窒素ドープ酸化ガリウム薄膜の成長と電気特性評価

〇李 政洙¹、若林 諒¹、斉藤 拓海¹、吉松 公平¹、加渡 幹尚²、大友 明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.トヨタ自動車、3.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム

酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)はp型伝導が実現できるとpn接合が形成でき，高耐圧パワーデバイスの実現が期待できる．窒素はアクセプター元素としての作用が期待されるが，p型伝導を発現するためには高濃度の窒素ドーピングが必要である．今回我々は一酸化窒素を窒素源として用いたPLD法により高濃度の窒素ドープβ-Ga₂O₃薄膜を作製した．また、薄膜の結晶構造や電気特性の評価から窒素ドープの効果を考察した．