[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [11p-S011-8] Hydrogen doping and carrier transport properties of amorphous Ga-O

〇Yurika Kasai¹, Keisuke Ide¹, Takayoshi Katase¹, Hidenori Hiramatsu^1,2, Hideo Hosono^1,2, Toshio Kamiya^1,2 (1.MSL, Tokyo Tech., 2.MCES, Tokyo Tech.)

Keywords:amorphous oxide semiconductor, carrier doping

我々は近年、新規アモルファス酸化物半導体であるa-Ga–O (a-GO)を見出してきたが、10¹⁵ cm^-3以下しか電子ドーピングができないという問題があった。本研究では、パルスレーザー堆積法 (PLD) によって作製した半導性のa-GO薄膜に対して、真空アニールや水素プラズマ処理を行いキャリア濃度の向上を試みた。さらに、高温ホール測定を行いa-In-Ga-Zn-Oとの比較を行うことでキャリア輸送特性について議論したので報告する。