[11p-S011-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [11p-S011-8] アモルファス酸化ガリウムへの水素ドープ効果とキャリア輸送特性

〇笠井 悠莉華¹、井手 啓介¹、片瀬 貴義¹、平松 秀典^1,2、細野 秀雄^1,2、神谷 利夫^1,2 (1.東工大フロ研、2.東工大元素)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、キャリアドーピング

我々は近年、新規アモルファス酸化物半導体であるa-Ga–O (a-GO)を見出してきたが、10¹⁵ cm^-3以下しか電子ドーピングができないという問題があった。本研究では、パルスレーザー堆積法 (PLD) によって作製した半導性のa-GO薄膜に対して、真空アニールや水素プラズマ処理を行いキャリア濃度の向上を試みた。さらに、高温ホール測定を行いa-In-Ga-Zn-Oとの比較を行うことでキャリア輸送特性について議論したので報告する。