The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 6:45 PM S011 (South Lecture Bldg.)

Kohei Sasaki(ノベルクリスタルテクノロジー), Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.), Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.)

4:00 PM - 4:15 PM

[11p-S011-9] Low-temperature fabrication of direct-current driven electroluminescent device using amorphous oxide semiconductor thin-film phosphor, a-GaOx

〇(D)Naoto Watanabe1, Keisuke Ide1, Takayoshi Katase1,2, Masato Sasase3, Yoshitake Toda3, Junghwan Kim3, Shigenori Ueda4,5, Koji Horiba6, Hiroshi Kumigashira6, Hidenori Hiramatsu1,3, Hideo Hosono1,3, Toshio Kamiya1,3 (1.Titech Lab. for Mater. and Str., 2.PRESTO, 3.TIES, 4.NIMS, 5.SPring-8, 6.KEK)

Keywords:amorphous oxide semiconductor, light emitting diode, glass

室温成膜可能な無機蛍光体半導体薄膜である希土類ドープa-GaOx:RE (RE = Eu, Pr, Tb)を開発してきた。本発表では、a-GaOx:RE薄膜を発光層に用いたLEDをガラス基板上に作製し、EL発光動作を実証した。共鳴光電子分光等で電子構造を調べ、RE = Pr, Tbでは注入された電子と正孔がRE 4fに電荷移送され、再結合発光していることを明らかにした。