[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [11p-S011-9] Low-temperature fabrication of direct-current driven electroluminescent device using amorphous oxide semiconductor thin-film phosphor, a-GaO_x

〇(D)Naoto Watanabe¹, Keisuke Ide¹, Takayoshi Katase^1,2, Masato Sasase³, Yoshitake Toda³, Junghwan Kim³, Shigenori Ueda^4,5, Koji Horiba⁶, Hiroshi Kumigashira⁶, Hidenori Hiramatsu^1,3, Hideo Hosono^1,3, Toshio Kamiya^1,3 (1.Titech Lab. for Mater. and Str., 2.PRESTO, 3.TIES, 4.NIMS, 5.SPring-8, 6.KEK)

Keywords:amorphous oxide semiconductor, light emitting diode, glass

室温成膜可能な無機蛍光体半導体薄膜である希土類ドープa-GaO_x:RE (RE = Eu, Pr, Tb)を開発してきた。本発表では、a-GaO_x:RE薄膜を発光層に用いたLEDをガラス基板上に作製し、EL発光動作を実証した。共鳴光電子分光等で電子構造を調べ、RE = Pr, Tbでは注入された電子と正孔がRE 4fに電荷移送され、再結合発光していることを明らかにした。