The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[11p-S223-1~16] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 6:00 PM S223 (S223)

Yasushi Nanai(Aoyama Univ.), Jun Tatebayashi(Osaka Univ.)

5:15 PM - 5:30 PM

[11p-S223-14] Excitation density dependence of luminescence from SiC nanotubes dispersed by anionic surfactant

Tatsuya Suzuki1, 〇Jun Ishihara1, Tomitsugu Taguchi2, Kensuke Miyajima1 (1.Tokyo Univ. of Sci., 2.QST)

Keywords:SiC, nanotube, luminescence

SiCNTsの凝集度が発光特性にどのような影響を与えるかを発光強度の励起密度依存性から明らかにした。SiCNTsの分散性が上昇するに連れ、発光強度の励起密度に対する非線形性が増加することを確認した。これは、SiCNTsの分散性が上昇することで、ナノチューブあたりに励起されるキャリア密度が増加し、多体効果によって発光強度が増大するためだと考えられる。