[11p-S422-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[11p-S422-2] Effect of a single-sided AlGaAs layer on InAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors

〇Hirofumi Yoshikawa^1,3, Jinkwan Kwoen¹, Takahiro Doe^1,3, Makoto Izumi³, Satoshi Iwamoto^1,2, Yasuhiko Arakawa¹ (1.NanoQuine, Univ. of Tokyo, 2.IIS, Univ. of Tokyo, 3.SHARP)

Keywords:quantum dot, infrared photodetector

量子ドット赤外線検出器（QDIP：quantum dot infrared photodetectors）は、量子ドットにおける三次元方向の量子閉じ込めにより高感度および高温動作が期待されている。今回、高感度化・高温動作化に向けた構造として片側障壁層に着目し、Al組成の異なる片側AlGaAs層を有するInAs/GaAs量子ドット赤外線検出器を作製した。結果、片側AlGaAs層のAl組成を高めることによる比検出能の向上を明らかにしたので報告する。本結果は、高感度化・高温動作化に向けたQDIP構造の最適化において重要な指針となることが期待される成果である。