[11p-S423-1~18] 11.1 Fundamental properties

[11p-S423-14] Depairing Current Density Measurements of micro-bridge devices made of FeTe_xSe_1-x Single Crystals

Haruka Ohnuma¹, Yue Sun¹, Naoki Mine¹, Takashi Noji², Yoji Koike², Tsuyoshi Tamegai³, Shin-ya Ayukawa⁴, 〇Haruhisa Kitano¹ (1.Aoyama Gakuin Univ., 2.Tohoku Univ., 3.Univ. of Tokyo, 4.Okayama Univ.)

Keywords:Iron-based Chalcogenide Superconductors, Critical Current Density

FeTe_xSe_1-x単結晶ベースの超伝導素子開発に向け、多結晶や薄膜に限られていた電気化学処理を集束イオンビームで作製した微小ブリッジ部に適用すると共に、電流電圧特性から対破壊電流密度の評価を試みた。講演では、電流電圧特性から得られたc軸方向の臨界電流密度が、面直磁場に対する磁化測定の結果に比べて約１桁大きいことから、対破壊効果に起因する臨界電流密度と見なせること、および電気化学処理との組み合わせ方法について議論する。