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[11p-W321-2] High doping performance of HVPE-grown GaAs films for tunnel diodes
Keywords:III-V semiconductors, Solar Cells, Hydride Vapor Phase Epitaxy
我々は、製造コストの低減を目指してHVPE法を用いたIII-V族太陽電池の開発を行っている。今回、多接合太陽電池の実現に向けたGaAsへの高濃度ドーピングとトンネル接合を検討した。DMZnを用いたp型ドーピングでは1019cm-3以上のキャリア濃度を達成した一方で、H2Sを用いたn型では5x1018cm-3で飽和した。しかし、Sを過剰にドープしたn層をトンネル層に用いることにより、5A/cm-2のピークを有するトンネル電流が欠陥を介して発生することが分かった。