[11p-W321-1~14] 13.9 Compound solar cells

[11p-W321-2] High doping performance of HVPE-grown GaAs films for tunnel diodes

〇Ryuji Oshima¹, Yasushi Shoji¹, Kikuo Makita¹, Akinori Ubukata², Takeyoshi Sugaya¹ (1.AIST, 2.TNSC)

Keywords:III-V semiconductors, Solar Cells, Hydride Vapor Phase Epitaxy

我々は、製造コストの低減を目指してHVPE法を用いたIII-V族太陽電池の開発を行っている。今回、多接合太陽電池の実現に向けたGaAsへの高濃度ドーピングとトンネル接合を検討した。DMZnを用いたp型ドーピングでは10¹⁹cm^-3以上のキャリア濃度を達成した一方で、H₂Sを用いたn型では5x10¹⁸cm^-3で飽和した。しかし、Sを過剰にドープしたn層をトンネル層に用いることにより、5A/cm^-2のピークを有するトンネル電流が欠陥を介して発生することが分かった。