[11p-W321-1~14] 13.9 Compound solar cells

[11p-W321-4] Observation of misfit and threading dislocations in buffer layers of IMM single junction InGaAs solar cells by multiphoton excitation photoluminescence

〇AKIO OGURA¹, Tomoyuki Tanikawa², Tatsuya Takamoto³, Ryuji Oshima⁴, Takeyoshi Sugaya⁴, Mitsuru Imaizumi¹ (1.JAXA, 2.IMR, Tohoku Univ., 3.SHARP Corp., 4.AIST)

Keywords:dislocation, multiphoton excitation photoluminescence, solar cell

InGaP/GaAs/InGaAs構造を有する格子不整合系逆成長3接合型太陽電池の更なる高効率化を図るためには，バッファ層内から発生する貫通転位を減少させる必要がある．今回，InGaAsの単一接合太陽電池を作製し，多光子励起フォトルミネッセンス法を用いてバッファ層内における転位の観察を試みた．焦点を試料深部へ移すことで，バッファ層のヘテロ構造部で発生するミスフィット転位・貫通転位の様子を非破壊観察することに成功した．