[11p-W331-1~12] 3.15 Silicon photonics

[11p-W331-5] Evaluation of (Er,Y)₂SiO₅ optical waveguide amplifier prepared by Radical Assisted Sputtering

〇Tomoki Kasumi¹, Hideo Isshiki¹, Delgado Gabriel¹, Yasuhito Tanaka², Gento Nakamura¹ (1.UEC, 2.SHINCRON)

Keywords:Silicon photonics

オンチップ集積可能の光増幅媒質として(Er,Y)₂SiO₅結晶を提案した．この結晶の成膜方法として，Radical-Assisted Sputtering法(RAS法)を用いた．RAS法はスパッタリング法の一種で層状の堆積が可能である．また，スパッタリング工程と酸化工程が時間的，空間的に分離されている，堆積時間によって膜厚を制御できるなどのメリットがある．本研究では開発中のRAS for Lab.を用いて(Er,Y)₂SiO₅結晶の作製を行い，発光特性を評価した．また，(Er,Y)₂SiO₅結晶による導波路型増幅器を作製した．