[11p-W351-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [11p-W351-11] Influence of SrTiO₃/TiO₂ epitaxial buffer layer on electrical and optical properties in (Ba, Sr)TiO₃ thin films on MgO substrates

〇(DC)Shinya Kondo¹, Tomoaki Yamada¹, Masahito Yoshino¹, Takanori Nagasaki¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:ferroelectric thin film, epitaxial growth

MgO基板は、強誘電体薄膜を用いた光変調デバイスや高周波チューナブルデバイスに適した基板として期待される。本研究では、1 MLのTiO₂と10 nmのSrTiO₃（STO）からなるSTO /TiO₂エピタキシャルバッファー層を導入することで、SrRuO₃ 下部電極及び(Ba,Sr)TiO₃（BST）強誘電体層の成長モードを変化させ、薄膜表面の平滑性と結晶性を大幅に向上させることに成功した。このSTO /TiO₂バッファー層導入による結晶性の違いが、BST薄膜の電気・光学特性に及ぼす影響について発表する。