[11p-W521-1~18] 17.3 層状物質

[11p-W521-12] 単層MoS₂/h-BN/Graphiteへの絶縁膜堆積による界面準位の増加

〇豊田 哲史¹、方 楠¹、谷口 尚²、渡邊 健司²、長汐 晃輔¹ (1.東大工、2.物材機構)

キーワード：単層MoS2、六方晶窒化ホウ素、積層

1L-MoS₂/h-BN/Graphite FETにゲート絶縁膜を堆積したところ，D_itが増加したが，SiO₂/Si上の1L-MoS₂の場合よりもD_itの増加が少なかった．このことから，絶縁膜の堆積によって基板の粗さによるMoS₂への歪みが増幅されている可能性が考えられる．