[11p-W521-1~18] 17.3 Layered materials

△ [11p-W521-14] Carrier accumulation in MoS₂/MoSe₂ under the FET structure

〇Mina Maruyama¹, Susumu Okada¹ (1.Univ. Tsukuba)

Keywords:TMDC, FET, Electronic structure

本講演では、格子の整合性を有さないTMDCによるヘテロ構造体に着目をし、そこに存在する本質的な歪みによる蓄積キャリア分布の影響を明らかにした。密度汎関数理論に基づく第一原理計算手法を用いて、FET構造を有するMoS₂/MoSe₂ヘテロ構造体の電子構造を明らかにした。計算の結果、MoS₂/MoSe₂ヘテロ構造体は、面内の等方伸縮によるキャリア分布の変調が誘起しされないことを明らかにした。この結果は、格子の整合性を有さない組み合わせでのヘテロ構造体で起こりうるネットワークの歪みは、電界効果によるキャリア蓄積機構へあまり影響を及ぼさないことを示している。