[11p-W521-1~18] 17.3 層状物質

[11p-W521-3] p⁺-WSe₂/MoS₂ TFETにおけるMoS₂厚さによるバンドアライメント制御

〇中村 圭吾¹、永村 直佳²、上野 啓司³、谷口 尚²、渡邊 健司²、長汐 晃輔¹ (1.東大、2.物材機構、3.埼玉大)

キーワード：トンネルFET