[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Threading Dislocation Reduction of Sputter-Deposited AlN Templates for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Device Applications

〇Kenjiro Uesugi¹, Yusuke Hayashi², Kanako Shojiki³, Kentaro Nagamatsu¹, Hideto Miyake^2,3 (1.SPORR, Mie Univ., 2.Grad. School of RIS, Mie Univ., 3.Grad. School. of Eng., Mie Univ.)

Keywords:AlN, sputtering, annealing

これまでに、スパッタ成膜とface-to-face高温アニールを組み合わせた低転位密度AlNテンプレート作製技術に関して報告してきた。AlNの応力制御によるクラック抑制と各種条件の最適化により2.07 e8 /cm2の貫通転位密度を実現し、MOVPEホモエピタキシャル成長により平坦性の高い表面が得られることも確認された。AlNテンプレートの低転位密度化の進捗と併せて、深紫外発光素子への応用に向けた展望を述べる。