[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-16] MOCVDによる高密度(> 1×10¹¹ cm^-2)GaN/AlGaN量子ドットの形成

〇有田 宗貴¹、梅 洋^1,2、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.厦門大)

キーワード：量子ドット、GaN、MOCVD

MOCVD成長GaN/AlGaN量子ドット(QD)の形成条件を検討し、10¹¹ cm^-2台の高密度化を実現した。
まず、GaN結晶の粗大化が起こらないようQD形成後アニールの処理条件を最適化したうえで、n-AlGaN上GaN表面モフォロジーのNH₃流量・成長温度依存性を調べた。NH₃ 流量を厳密に制御することによって、格子不整が比較的小さいにもかかわらず従来より一桁高密度のGaN/AlGaN QD を自己形成できることが分かった。