17:45 〜 18:00
[11p-W541-16] MOCVDによる高密度(> 1×1011 cm-2)GaN/AlGaN量子ドットの形成
キーワード:量子ドット、GaN、MOCVD
MOCVD成長GaN/AlGaN量子ドット(QD)の形成条件を検討し、1011 cm-2台の高密度化を実現した。
まず、GaN結晶の粗大化が起こらないようQD形成後アニールの処理条件を最適化したうえで、n-AlGaN上GaN表面モフォロジーのNH3流量・成長温度依存性を調べた。NH3 流量を厳密に制御することによって、格子不整が比較的小さいにもかかわらず従来より一桁高密度のGaN/AlGaN QD を自己形成できることが分かった。
まず、GaN結晶の粗大化が起こらないようQD形成後アニールの処理条件を最適化したうえで、n-AlGaN上GaN表面モフォロジーのNH3流量・成長温度依存性を調べた。NH3 流量を厳密に制御することによって、格子不整が比較的小さいにもかかわらず従来より一桁高密度のGaN/AlGaN QD を自己形成できることが分かった。