[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-17] Surface passivation effect by saturated ozone water treatment on InGaN/GaN nanostructures fabricated by hydrogen environment anisotropic thermal etching (HEATE)

〇Daichi Ito¹, Yusuke Namae¹, Akihiro Matsuoka¹, Yuki Ooe¹, Yusei Kawasaki¹, Yuta Moriya¹, Rie Togashi¹, Akihiko Kikuchi^1,2 (1.Sophia Univ, 2.Sophia nanotech center)

Keywords:GaN, nanostructure, passivation

窒化物半導体ナノ構造は、高機能光電子デバイスの実現に向け期待される技術である。我々は水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応を利用し、低損傷極微細加工が可能な水素雰囲気異方性エッチング(HEATE)法の研究を行い、GaNのエッチング特性やInGaN/GaNナノ構造LEDの作製等を報告してきた。通常、ナノ構造は極微細領域において発光層の体積に対する表面積の割合が増加し、表面非発光再結合の影響が顕在化するため発光強度が減少する。本稿では、HEATE法で作製した異なる直径を持つInGaN/GaNナノピラー構造に対する飽和オゾン水(SOW: saturated ozone water)を用いたパッシベーション効果を室温におけるフォトルミネッセンス(PL)と時間分解PL(TRPL)を用いて評価したので報告する。