[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-19] Fabrication of regularly arranged Eu-doped GaN nanocolumns on AlN/Si substrate grown by RF-MBE

〇(M1C)Shinjiro Fujiwara¹, Hiroto Sekiguchi¹, Atsushi Sukegawa¹, Yoshikazu Tamai¹, Keisuke Yamane¹, Hiroshi Okada¹, Katsumi Kshino², Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Tech., 2.Sophia Univ.)

Keywords:rare earth, Nitrade, nanocolumns

単一光子源の実現に向けて、発光特性の環境温度耐性が高く、波長再現性が極めて高いEu添加GaN(GaN:Eu)に着目し、無転位性という特徴をもつナノコラム結晶を用いた。また、ナノコラム1本での評価が必要であるため、選択成長法を活用した。従来用いられたGaN薄膜上への成長はイエロールミネッセンスが問題となるためAlN/Si基板を用いた。成長はRF-MBE法を用いて行い、成長したGaN:EuナノコラムをSEM像での観測と光学特性評価を行った。