[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-3] スパッタ法により形成したサファイア上SiドープAlNの電気特性

〇櫻井 悠也¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、上杉 謙次郎²、三宅 秀人²、藤岡 洋^1,3 (1.東大生研、2.三重大、3.JST-ACCEL)

キーワード：スパッタリング、半導体、AlN