[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [11p-W541-4] Study on growth conditions of non-polar AlN film on MnS/Si (100) deposited by reactive sputtering

〇Kouta Tatejima^1,2, Takahiro Nagata², Keiji Ishibashi^2,3, Kenichirou Takahashi^2,3, Setsu Suzuki^2,3, Atsushi Ogura¹, Toyohiro Chikyow² (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.COMET Inc.)

Keywords:non-polar GaN, reactive sputtering, buffer layer

Si基板上無極性GaN成長を実現するために、我々は、Si(100)基板上MnS バッファー層を用いた無極性AlN及びGaN 成長を提案している。これまでに、MnS バッファー層を用いたSi 基板上無極性AlN 成長をPLD法で実現し、現在は大面積化・コスト効率において有利なスパッタ法での実現を目指している。スパッタ法では、MnS 層までのエピ成長は達成したが、基板の拘束力よりもAlN 層の成長安定面である極性面への配向が勝る。その原因の一つにMnS バッファー層の窒化による最表面の結合状態変化が考えられる。従来はMnS/Si (100)上に設定基板温度700 ^oC での成膜を試みてきたが、高温でのAlN 成膜は窒化を促進することが報告されている。本報告では、MnS 層の表面窒化状態の確認と窒化抑制を目的として、AlN 低温バッファー層を用いての成膜を試みた。