[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [11p-W541-4] 反応性スパッタ法を用いたMnS/Si (100)上への無極性AlN薄膜作製条件の検討

〇立島 滉大^1,2、長田 貴弘²、石橋 啓次^2,3、高橋 健一郎^2,3、鈴木 摂^2,3、小椋 厚志¹、知京 豊裕² (1.明治大、2.物質材料研究機構、3.株式会社コメット)

キーワード：無極性GaN、反応性スパッタ、バッファー層

Si基板上無極性GaN成長を実現するために、我々は、Si(100)基板上MnS バッファー層を用いた無極性AlN及びGaN 成長を提案している。これまでに、MnS バッファー層を用いたSi 基板上無極性AlN 成長をPLD法で実現し、現在は大面積化・コスト効率において有利なスパッタ法での実現を目指している。スパッタ法では、MnS 層までのエピ成長は達成したが、基板の拘束力よりもAlN 層の成長安定面である極性面への配向が勝る。その原因の一つにMnS バッファー層の窒化による最表面の結合状態変化が考えられる。従来はMnS/Si (100)上に設定基板温度700 ^oC での成膜を試みてきたが、高温でのAlN 成膜は窒化を促進することが報告されている。本報告では、MnS 層の表面窒化状態の確認と窒化抑制を目的として、AlN 低温バッファー層を用いての成膜を試みた。