[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-5] DCスパッタAlNテンプレートを用いたAlGaN深紫外LEDの作製

〇最上 耀介^1,2、茂手木 省吾^1,2、大澤 篤史³、尾崎 一人³、谷岡 千丈³、前岡 淳史³、定 昌史¹、前田 哲利¹、矢口 裕之²、平山 秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大、3.SCREEN ファインテックソリューションズ)

キーワード：スパッタリング、深紫外LED、高温アニール

殺菌、浄水、医療など幅広い用途への応用可能なAlGaN深紫外LEDは、スパッタAlNを高温アニール処理したものをテンプレートとして用いることにより、作製コストの低減が期待できる。これまではアニールにより表面にヒロックが現れることから結晶性をトレードオフにアニール温度を下げる必要があったが、今回高い結晶性と良好な表面状態を両立するテンプレートが実現し、それを用いた深紫外LEDを作製したので報告する。