[11p-W621-1~18] 17.1 Carbon nanotubes & other nanocarbon materials

[11p-W621-5] Study on Mechanism of Single-Walled Carbon Nanotube Growth from Ir Catalyst using XANES Spectrum

〇(M2)Takuya Okada¹, Kamal Sharma¹, Takahiro Saida¹, Shigeya Naritsuka¹, Takahiro Maruyama¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:SWCNT, CVD growth

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は様々な優れた電気的特性をもつことか ら、エレクトロニクス分野への応用が期待されている。しかし、その実現にはカイラリテ ィの均一化と収量増加が不可欠である。我々のグループは、昨年の秋の応用物理学会で Ir 触媒を用いることで、直径が 1 nm 程度以下でカイラリティ分布の狭い SWCNT が垂直配 向して成長することを報告した。本研究では、Ir 触媒からの SWCNT 成長メカニズムを 明らかにするため、X 線吸収端微細構造（XANES）測定を行った。