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[11p-W810-12] FeFETを用いた時間領域アナログ積和演算回路の特性評価
キーワード:FeFET、アナログメモリ
エッジAIハードウェア向けに提案されている超低消費エネルギー時間領域アナログ積和演算回路方式では,高抵抗値を2桁以上の広い範囲で保持・制御する不揮発性アナログメモリ素子が必要である.その候補として我々はサブスレッショルド動作のFeFETを検討している.今回,FeFETを用いた小規模な積和演算回路を作製し,性能を評価したので,その結果を報告する.