[11p-W810-1~17] 31.1 Focused Session "AI Electornics"

△ [11p-W810-5] Finite Element Analysis of Resistive Switching Characteristics in Memristive Devices

〇Zenya Nagata¹, Tetsuya Tohei¹, Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. of Eng. Sci., Osaka Univ)

Keywords:Memristor, TiO2, Finite Element Method

脳神経回路を模したアルゴリズムの開発により人口知能技術が大きく発展した。一方で、これらソフトウェア実装に止まらず、脳神経回路のハードウェア実装に大きな期待が寄せられている。そこで注目されているのが、脳神経回路のシナプスの役割を模倣可能なメモリスタ素子である。メモリスタ素子とは、素子抵抗を変化させることで流れた電荷量を記憶し、Strukovらによってキャリア（電子・正孔）及び、ドーパントのドリフト・拡散に起因する抵抗変化メカニズムが1次元モデルで提唱された。我々は、これまでにメモリスタ材料として抵抗変化（RS）現象を示すTiO_2-xに着目してきた。今回、電圧印加による端子間の物性を有限要素法により二次元的にシミュレートし、TiO_2-xでの酸素空孔に対応するドナー密度分布を評価した。