[11p-W933-1~11] Symposium on Crystal Science with Synchrotron Radiation

[11p-W933-2] Synchrotron X-ray Diffraction Measurements in Hetero-epitaxial Growth of GaInN by RF-MBE

〇Tomohiro Yamaguchi¹, Takuo Sasaki², Masamitsu Takahasi², Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹, Tsutomu Araki³, Yasushi Nanishi³ (1.kogakuin Univ., 2.QST, 3.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:InGaN, MBE, in-situ XRD

高品質GaInN膜の実現は、GaNマトリックスを用いるこれまでのGaN系発光デバイスに対し、より幅広いデバイス設計・デバイス応用を可能とする。高品質GaInN膜を実現するためには、格子緩和過程を理解し、その過程を制御することが求められる。今回は、我々が最近行っているRF-MBE法GaInNヘテロエピタキシャル成長における放射光その場X線回折測定により明らかとなった結晶成長時の動的挙動について紹介する。