2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[12a-M101-1~6] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2019年3月12日(火) 09:00 〜 10:30 M101 (H101)

窪田 崇秀(東北大)

09:00 〜 09:15

▲ [12a-M101-1] Perpendicular magnetic anisotropy and tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with a Mn nano-layer electrode

〇Kazuya Suzuki1,2、Shojiro Kimura3、Hitoshi Kubota4、Shigemi Mizukami1,2,5 (1.Tohoku Univ, AIMR、2.Tohoku Univ. CSRN、3.Tohoku Univ. IMR、4.AIST、5.Tohoku Univ. CSIS)

キーワード：Perpendicular magnetic anisotropy, Tunnel magnetoresistance, Mn-based alloy