[12a-M101-7~11] 10.4 Semiconductor spintronics, superconductor, multiferroics

△ [12a-M101-10] Excitation density dependence of zero-field precession of high mobility two-dimensional electron spins in GaAs/AlGaAs quantum well

〇Go Kitazawa¹, Yuya Furusho¹, Kensuke Miyajima¹, Yuzo Ohno², Hideo Ohno³, Jun Ishihara¹ (1.Tokyo univ. of Sci., 2.Univ. of Tsukuba, 3.RIEC, Tohoku Univ.)

Keywords:spin orbit interaction, semiconductor, persistent spin helix

長い運動量緩和時間を持つ二次元電子ガス系では、電子がスピン軌道相互作用による有効磁場のみを受けて歳差運動する様子が観測される。今回、高移動度二次元電子ガスにおいて光励起電子スピンのゼロ磁場歳差運動の励起密度依存性を調べた。励起密度の増加に伴いゼロ磁場歳差運動の歳差運動周波数は減少した。この原因として、励起密度の増加により電子の散乱頻度が増えたこと、スピン軌道相互作用が変調されたことが考えられる。