[12a-M111-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[12a-M111-4] 不均一横磁場下のSi-CZ結晶成長における酸素移動現象の理解

〇柿本 浩一¹、Liu Xin¹、中野 智¹、宮村 佳児¹、原田 博文¹、西澤 伸一¹ (1.九大応力研)

キーワード：半導体、シリコン、結晶成長

シリコン単結晶中の酸素濃度の制御と低減は、高性能パワーデバイスの実現に必要な研究開発課題である。本報告では、実際の結晶成長に採用される不均一横磁場をモデル化することにより、横磁場形状と融液及び結晶との相対位置が結晶成長中の酸素輸送に与える影響について、３次元数値計算を用いて解析した結果を報告する。