[12a-M113-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [12a-M113-2] Evaluation of Strain Relaxation in Ge_1-xSn_x Mesa Structure Using Reciprocal Space Mapping

〇(M1)Yuki Takahashi¹, Ryo Yokogawa^1,2, Ichiro Hirosawa³, Kohei Suda¹, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI))

Keywords:strain, reciprocal space mapping

メサ構造に加工したSn濃度3.2及び1.3％のGe_1-xSn_x /Ge(001)膜について、-115、-117及び-337回折近傍の逆格子空間マッピング測定を行った結果、幅0.5 μmの試料において、メサ構造面内短軸の格子緩和は幅0.5 μmの試料の全域に渡って生じていると考えられ、先行研究であるSSOIやSiGe/Siとは異なり、より広い範囲で歪緩和が生じていることが確認された。