[12a-M113-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

[12a-M113-3] Evaluation of Anisotropic Stress Distribution for Laterally Graded SiGe Wires by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

〇Ryo Yokogawa^1,2, Kouta Takahashi^2,4, Motohiro Tomita^1,3, Masashi Kurosawa^4,5,6, Takanobu Watanabe³, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.Waseda Univ., 4.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 5.JST-PRESTO, 6.IAR, Nagoya Univ.)

Keywords:Raman spectroscopy, Laterally graded SiGe wire

SiGeは、Siと比較して高いキャリア移動度を有する次世代半導体デバイスとして、さらに合金効果により熱伝導率が著しく低下する事から熱電デバイスへの応用が期待される。我々は熱電性能向上を目指し急速溶融成長組成傾斜SiGeワイヤに注目しているが、デバイス設計に重要な歪の評価は未だ行われていない。本講演では、液浸ラマン分光法による異方性二軸応力評価を試み、組成傾斜SiGeワイヤ内応力分布について議論する。