The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.5 Group IV crystals and alloys

[12a-M113-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

Tue. Mar 12, 2019 9:30 AM - 11:30 AM M113 (H113)

Kentarou Sawano(Tokyo City Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[12a-M113-2] Evaluation of Strain Relaxation in Ge1-xSnx Mesa Structure Using Reciprocal Space Mapping

〇(M1)Yuki Takahashi1, Ryo Yokogawa1,2, Ichiro Hirosawa3, Kohei Suda1, Atsushi Ogura1 (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI))

Keywords:strain, reciprocal space mapping

メサ構造に加工したSn濃度3.2及び1.3%のGe1-xSnx /Ge(001)膜について、-115、-117及び-337回折近傍の逆格子空間マッピング測定を行った結果、幅0.5 μmの試料において、メサ構造面内短軸の格子緩和は幅0.5 μmの試料の全域に渡って生じていると考えられ、先行研究であるSSOIやSiGe/Siとは異なり、より広い範囲で歪緩和が生じていることが確認された。