[12a-M113-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12a-M113-3] 液浸ラマン分光法による組成傾斜SiGeワイヤの異方性二軸応力分布評価

〇横川 凌^1,2、高橋 恒太^2,4、富田 基裕^1,3、黒澤 昌志^4,5,6、渡邉 孝信³、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.早大理工、4.名大院工、5.JSTさきがけ、6.名大高等研究院)

キーワード：ラマン分光法、組成傾斜SiGeワイヤ

SiGeは、Siと比較して高いキャリア移動度を有する次世代半導体デバイスとして、さらに合金効果により熱伝導率が著しく低下する事から熱電デバイスへの応用が期待される。我々は熱電性能向上を目指し急速溶融成長組成傾斜SiGeワイヤに注目しているが、デバイス設計に重要な歪の評価は未だ行われていない。本講演では、液浸ラマン分光法による異方性二軸応力評価を試み、組成傾斜SiGeワイヤ内応力分布について議論する。